В рамках научного сотрудничества между Вьетнамом и Объединенным институтом ядерных исследований (ОИЯИ) с 16 по 24 июля 2026 года в Лаборатории ядерных проблем им. В. П. Джелепова (ЛЯП) ОИЯИ состоялся рабочий визит вьетнамской делегации.
В состав делегации вошли: доцент, доктор Нгуен Туан Кхай — заместитель директора Вьетнамского института атомной энергии (ВИНАТОМ); профессор, доктор Нгуен Куанг Хынг — директор Института фундаментальных и прикладных исследований (IFAS) Университета Зуй Тан; доктор Лыу Ань Туен — сотрудник Центра ядерных исследований г. Хошимина, ВИНАТОМ. Со стороны ОИЯИ делегацию принимали директор ЛЯП профессор Евгений Анатольевич Якушев, главный инженер лаборатории доктор С. Л. Яковенко, а также специалисты лаборатории. Визит был организован при активном содействии постоянного координатора Вьетнамской академии науки и технологий (ВАНТ) в ОИЯИ доктора Нгуен Ван Тьеп и аспиранта Нгуен Ву Минь Чунг.
Основной целью визита стало детальное обсуждение проекта «Исследование и разработка установки пучка медленных позитронов (Slow Positron Beam, SPB) во Вьетнаме». Стороны рассмотрели и согласовали предварительные технико-экономические условия реализации проекта, исходные технические параметры, а также ориентировочный план проектирования, создания и ввода установки в эксплуатацию в ближайшие годы. Согласно достигнутым договоренностям, финансирование проекта будет обеспечиваться вьетнамской стороной, тогда как ОИЯИ окажет научно-техническую поддержку в разработке установки и подготовке высококвалифицированных специалистов.
Современные ядерно-физические методы играют важную роль в исследованиях широкого спектра материалов, включая полупроводники, металлы, сплавы и керамику, применяемые в различных областях науки и техники. Эти методы позволяют проводить детальный анализ химического состава, структуры и дефектов на атомном уровне, определяющих функциональные свойства и надежность материалов. Установка пучка медленных позитронов обладает уникальными возможностями для исследования вакансионных дефектов кристаллической решетки, а также дефектов в приповерхностных слоях и на границах раздела материалов. Кроме того, установка SPB обеспечивает проведение экспериментов in-situ в широком диапазоне температур — от нескольких десятков до нескольких сотен кельвинов. Это позволяет непосредственно наблюдать процессы образования и исчезновения дефектов при нагреве или охлаждении образцов без извлечения их из измерительной системы, что делает возможным моделирование условий эксплуатации современных электронных устройств.
Ожидается, что после ввода в эксплуатацию установка SPB станет важной исследовательской инфраструктурой, способствующей развитию во Вьетнаме исследований полупроводниковых, металлических и функциональных материалов для перспективных высокотехнологичных отраслей.
Рабочий визит завершился успешным достижением взаимопонимания и подтверждением намерений обеих сторон ускорить реализацию проекта. Пользуясь случаем, представители делегации выразили искреннюю благодарность Полномочному представителю Вьетнама в ОИЯИ за постоянную поддержку и содействие, а также выразили надежду на дальнейшее активное участие Дирекции ОИЯИ и Полномочного представителя в последующих этапах реализации проекта.
